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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 30.23% | 最小二极管电容比： | 4 |
| 标称二极管电容： | 2.15 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 250 | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBV105GLT1 | ONSEMI |
完全替代  |
Silicon Tuning Diode |
|
| BBY40,215 | NXP |
功能相似 |
BBY40 - VHF variable capacitance diode TO-236 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBV105GLT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
UHF BAND, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PI |
|
| MMBV109 | LRC |
获取价格 |
Silicon Epicap Diode |
|
| MMBV109 | MOTOROLA |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 29pF C(T), |
|
| MMBV109L | ONSEMI |
获取价格 |
VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
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| MMBV109L | MOTOROLA |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 29pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt, TO- |
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| MMBV109LT1 | LRC |
获取价格 |
Silicon Epicap Diode |
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| MMBV109LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV109LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Epicap Diodes |
|
| MMBV109LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Epicap Diodes |
|
| MMBV109LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, C |
|
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