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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> MMBV105GLT1
MMBV105GLT1 PDF预览

MMBV105GLT1

更新时间： 2024-02-02 00:41:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Silicon Tuning Diode

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MMBV105GLT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：30 V配置：SINGLE
二极管电容容差：30.23%最小二极管电容比：4
标称二极管电容：2.15 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：250最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Varactors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
变容二极管分类：HYPERABRUPTBase Number Matches：1

MMBV105GLT1 数据手册

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ON Semiconductort  
Silicon Tuning Diode  
MMBV105GLT1  
This device is designed in the Surface Mount package for general  
frequency control and tuning applications. It provides solid–state  
reliability in replacement of mechanical tuning methods.  
ON Semiconductor Preferred Device  
• Controlled and Uniform Tuning Ratio  
30 VOLT  
MAXIMUM RATINGS  
VOLTAGE VARIABLE  
CAPACITANCE DIODE  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
I
R
200  
mAdc  
3
F
Device Dissipation @ T = 25°C  
P
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
D
1
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MMBV105GLT1 = M4E  
2
T
+125  
°C  
°C  
J
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
T
stg  
–55 to +150  
3
1
Cathode  
Anode  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)R  
30  
—
Vdc  
(I = 10 µAdc)  
R
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
—
50  
nAdc  
(V = 28 Vdc)  
R
C
Q
C
R
T
V
R
= 25 Vdc, f = 1.0 MHz  
pF  
V
= 3.0 Vdc  
C /C  
f = 1.0 MHz  
R
3 25  
Device Type  
f = 50 MHz  
Min  
Max  
Typ  
Min  
Max  
6.5  
MMBV105GLT1  
1.5  
2.8  
250  
4.0  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
MMBV105GLT1/D  
1234

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MMBV105GLT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBV105GLT1G ONSEMI

完全替代

 Silicon Tuning Diode
ZMV829BTC DIODES

功能相似

 Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-2
ZC829BTC DIODES

功能相似

 Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3

与MMBV105GLT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBV105GLT1_06 ONSEMI

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 		Silicon Tuning Diode
MMBV105GLT1G ONSEMI

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 		Silicon Tuning Diode
MMBV105GLT3 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PI
MMBV109 LRC

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 		Silicon Epicap Diode
MMBV109 MOTOROLA

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 		Variable Capacitance Diode, 29pF C(T),
MMBV109L ONSEMI

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 		VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBV109L MOTOROLA

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 29pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt, TO-
MMBV109LT1 LRC

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