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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.17 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 10.34% |
| 最小二极管电容比： | 5 | 标称二极管电容： | 29 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 200 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBV109LT3G | ONSEMI |
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Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV2101 | LRC |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBV2101L | MOTOROLA |
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Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silic |
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| MMBV2101L | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Tuning Diodes |
|
| MMBV2101LT1 | LRC |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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| MMBV2101LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Tuning Diodes |
|
| MMBV2101LT1 | ETL |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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| MMBV2101LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Tuning Diodes |
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| MMBV2101LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
HF-UHF BAND, 6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08, |
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| MMBV2103LT1 | ETL |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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