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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> MMBV2107LT1
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MMBV2107LT1

更新时间： 2024-01-13 07:12:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管变容二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
Silicon Tuning Diodes

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MMBV2107LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：HIGH Q, HIGH RELIABILITY最小击穿电压：30 V
配置：SINGLE二极管电容容差：10%
最小二极管电容比：2.5标称二极管电容：22 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.225 W
认证状态：COMMERCIAL最小质量因数：350
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40变容二极管分类：ABRUPT

MMBV2107LT1 数据手册

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MMBV2101LT1 Series,  
MV2105, MV2101, MV2109,  
LV2205, LV2209  
Silicon Tuning Diodes  
6.8–100 pF, 30 Volts  
Voltage Variable Capacitance Diodes  
http://onsemi.com  
These devices are designed in popular plastic packages for the high  
volume requirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general  
frequency control and tuning applications. They provide solid–state  
reliability in replacement of mechanical tuning methods. Also  
available in a Surface Mount Package up to 33 pF.  
3
Cathode  
1
Anode  
SOT–23  
TO–92  
2
Cathode  
1
Anode  
• High Q  
• Controlled and Uniform Tuning Ratio  
• Standard Capacitance Tolerance – 10%  
• Complete Typical Design Curves  
MARKING  
DIAGRAM  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
XXX M  
2
V
R
TO–236AB, SOT–23  
CASE 318–08  
STYLE 8  
Forward Current  
I
F
200  
mAdc  
XXX  
M
= Device Code*  
= Date Code  
* See Table  
Forward Power Dissipation  
P
D
mW  
mW/°C  
@ T = 25°C  
MMBV21xx  
225  
1.8  
A
Derate above 25°C  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
MV21xx  
LV22xx  
280  
2.8  
A
XX  
XXXX  
YWW  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
+150  
°C  
°C  
J
T
stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
1
2
MMBV2101LT1 = M4G  
MMBV2103LT1 = 4H  
MMBV2105LT1 = 4U  
MMBV2107LT1 = 4W  
MMBV2108LT1 = 4X  
MMBV2109LT1 = 4J  
MV2101 = MV2101  
MV2105 = MV2105  
MV2109 = MV2109  
LV2205 = LV2205  
LV2209 = LV2209  
TO–226AC, TO–92  
CASE 182  
XX  
= Device Code Line 1*  
XXXX = Device Code Line 2*  
= Date Code  
* See Table  
STYLE 1  
M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Characteristic  
Symbol Min Typ Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)R  
(I = 10 µAdc)  
R
MMBV21xx, MV21xx  
LV22xx  
30  
25  
–
–
–
–
Reverse Voltage Leakage  
Current  
(V = 25 Vdc, T = 25°C)  
I
R
–
–
0.1  
µAdc  
R
A
Diode Capacitance  
Temperature Coefficient  
TC  
–
280  
–
ppm/°C  
C
(V = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
R
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
October, 2001 – Rev. 3  
MMBV2101LT1/D  
12345678

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MMBV2107LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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