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MMBV2108LT1

更新时间： 2024-01-16 14:06:57

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乐山 - LRC		二极管
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Silicon Tuning Diode

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MMBV2108LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH Q, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	30 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	10%	最小二极管电容比：	2.5
标称二极管电容：	27 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	COMMERCIAL
最小质量因数：	300	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
变容二极管分类：	ABRUPT	Base Number Matches：	1

MMBV2108LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

MMBV2101LT1

MMBV2103LT1

MMBV2105LT1

Silicon Tuning Diode

These devices are designed in the popular PLASTIC PACKAGE for

high volumerequirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general

frequency control andtuning applications.They provide solid–state reliability

in replacement of mechanical tuning methods. Also available in Surface

Mount Package up to 33pF.

MMBV2107LT1

MMBV2108LT1

MMBV2109LT1

MV2101 MV2104

MV2106 MV2108

MV2109 MV2111

MV2115

• High Q

• Controlled and Uniform Tuning Ratio

• Standard Capacitance Tolerance —10%

• Complete Typical Design Curves

6.8-100p

30 VOLTS

ANODE

CATHODE

VOLTAGE VARIABLE

CAPACITANCE DIODES

CASE 318–08, STYLE 8

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE)

Rating

Reverse Voltage

Forward Current

Symbol

V _R

MV21XX MMBV21XXLT1 Unit

Vdc

I _F

200

mAdc

m W

mW/°C

°C

_A= 25°C

P _D

280

2.8

225

1.8

Forward power Dissipation @T

Derate above 25°C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

DEVICE MARKING

T _J

+150

T _stg

–55 to +150

°C

MMBV2101LT1=M4G

MMBV2103LT1=4H

MMBV2105LT1=4U

MMBV2107LT1=4W

MMBV2108LT1=4X

MMBV2109LT1=4J

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_A=25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage

(I_R=1.0µAdc)

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

V _(BR)R

—

Vdc

Reverse Voltage Leakage Current

(V_R=25Vdc,T_A=25°C)

I_R

—

0.1

—

µAdc

Diode Capacitance Temperature Coefficient

(V_R=4.0Vdc,f=1.0MHz)

TC_C

280

ppm/°C

MMBV2101~MMBV2109

MV2101~MV2115

–1/3

12 3

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBV2108LT1G	ONSEMI	功能相似	Silicon Tuning Diodes
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBV2108LT1G	ONSEMI	获取价格	Silicon Tuning Diodes
MMBV2109L	ONSEMI	获取价格	Silicon Tuning Diodes
MMBV2109L	MOTOROLA	获取价格	Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silico
MMBV2109LT1	MOTOROLA	获取价格	Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silico
MMBV2109LT1	ETL	获取价格	Silicon Tuning Diode
MMBV2109LT1	LRC	获取价格	Silicon Tuning Diode
MMBV2109LT1	ONSEMI	获取价格	Silicon Tuning Diodes
MMBV2109LT1G	ONSEMI	获取价格	Silicon Tuning Diodes
MMBV2109LT3	MOTOROLA	获取价格	HF-UHF BAND, 33pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08,
MMBV3102	LRC	获取价格	Silicon Tuning Diode

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