5秒后页面跳转
MMBV2107LT1 PDF预览

MMBV2107LT1

更新时间: 2024-02-01 08:21:52
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 测试光电二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, TO-236AB

MMBV2107LT1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
其他特性:HIGH Q, HIGH RELIABILITY最小击穿电压:30 V
配置:SINGLE二极管电容容差:10%
最小二极管电容比:2.5标称二极管电容:22 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.225 W
认证状态:COMMERCIAL最小质量因数:350
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40变容二极管分类:ABRUPT

MMBV2107LT1 数据手册

 浏览型号MMBV2107LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBV2107LT1的Datasheet PDF文件第3页 

与MMBV2107LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBV2107LT1G ONSEMI

获取价格

Silicon Tuning Diodes
MMBV2107LT3 MOTOROLA

获取价格

HF-UHF BAND, 22pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08,
MMBV2108LT1 ETL

获取价格

Silicon Tuning Diode
MMBV2108LT1 ONSEMI

获取价格

Silicon Tuning Diodes
MMBV2108LT1 LRC

获取价格

Silicon Tuning Diode
MMBV2108LT1G ONSEMI

获取价格

Silicon Tuning Diodes
MMBV2109L ONSEMI

获取价格

Silicon Tuning Diodes
MMBV2109L MOTOROLA

获取价格

Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silico
MMBV2109LT1 MOTOROLA

获取价格

Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silico
MMBV2109LT1 ETL

获取价格

Silicon Tuning Diode