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MMBV109L PDF预览

MMBV109L

更新时间： 2024-09-29 14:43:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
8页 109K
描述
VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBV109L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78最小击穿电压：30 V
配置：SINGLE二极管电容容差：10.34%
最小二极管电容比：5标称二极管电容：29 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：VERY HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最小质量因数：200
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMBV109L 数据手册

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by MBV109T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Designed for general frequency control and tuning applications; providing  
solid–state reliability in replacement of mechnaical tuning methods.  
* Motorola Preferred Devices  
•
•
•
High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies  
Controlled and Uniform Tuning Ratio  
26–32 pF  
VOLTAGE VARIABLE  
CAPACITANCE DIODES  
Available in Surface Mount Package  
3
3
1
Cathode  
Anode  
SC–70/SOT–323  
1
2
3
1
CASE 419–02, STYLE 3  
SC–70/SOT–323  
Cathode  
Anode  
SOT–23  
TO–92  
3
2
1
Cathode  
Anode  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Rating  
Symbol MBV109T1 MMBV109LT1 MV209  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
V
R
30  
Forward Current  
I
F
200  
mAdc  
Forward Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
280  
2.8  
200  
2.0  
200  
1.6  
mW  
mW/°C  
A
1
2
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
+125  
–55 to +150  
°C  
°C  
J
CASE 182–02, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AC)  
T
stg  
DEVICE MARKING  
MBV109T1 = J4A, MMBV109LT1 = M4A, MV209 = MV209  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µAdc)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Vdc  
V
R
(BR)R  
Reverse Voltage Leakage Current (V = 25 Vdc)  
R
I
R
—
0.1  
—
µAdc  
ppm/°C  
Diode Capacitance Temperature Coefficient  
(V = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
R
TC  
—
300  
C
C , Diode Capacitance  
Q, Figure of Merit  
= 3.0 Vdc  
C , Capacitance Ratio  
R
t
V
R
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz  
pF  
V
C /C  
R
3
25  
f = 50 MHz  
f = 1.0 MHz (Note 1)  
Device  
Min  
Nom  
Max  
Min  
Min  
Max  
MBV109T1, MMBV109LT1, MV209  
26  
29  
32  
200  
5.0  
6.5  
1. C is the ratio of C measured at 3 Vdc divided by C measured at 25 Vdc.  
R
t
t
MMBV109LT1 is also available in bulk packaging. Use MMBV109L as the device title to order this device in bulk.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
(Replaces MMBV109LT1/D)  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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