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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 10.34% | 最小二极管电容比： | 5 |
| 标称二极管电容： | 29 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 200 |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 变容二极管分类： | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBV109LT1 | LRC |
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Silicon Epicap Diode |
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| MMBV109LT1 | ONSEMI |
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Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV109LT1G | ONSEMI |
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Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV109LT3 | ONSEMI |
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Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV109LT3 | MOTOROLA |
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VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, C |
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| MMBV109LT3G | ONSEMI |
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Silicon Epicap Diodes |
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| MMBV2101 | LRC |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBV2101L | MOTOROLA |
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Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silic |
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| MMBV2101L | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diodes |
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| MMBV2101LT1 | LRC |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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