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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 0.71 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小二极管电容比： | 5 | 标称二极管电容： | 26 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向电流： | 0.01 µA | 反向测试电压： | 28 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BBY40 | NXP |
完全替代  |
VHF variable capacitance diode |
|
| MMBV105GLT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Silicon Tuning Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BBY40/T1 | ETC |
获取价格 |
DIODE VARI-CAP SOT-23 |
|
| BBY40_15 | JMNIC |
获取价格 |
VHF variable capacitance diode |
|
| BBY40_2015 | JMNIC |
获取价格 |
VHF variable capacitance diode |
|
| BBY40-T | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, 26 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Dio |
|
| BBY40T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, 26 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Var |
|
| BBY40TA | DIODES |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 28V, Silicon, Hyperabrupt |
|
| BBY40TC | ZETEX |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 28V, Silicon, Hyperabrupt |
|
| BBY40TRL | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY40TRL13 | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY40TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon |
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