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MMBTA05

更新时间： 2024-02-22 20:51:40

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	993K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBTA05 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA05 数据手册

MMBTA05

TRANSISTOR(NPN)

SOT-23

FEATURES

Driver transistor

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING :1H

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

0.5

P_C

300

150

-55-150

T_J

℃

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 100μA, I_E=0

I_C= 1mA, I_B=0

I_E=100μA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

0.1

400

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=60V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

h_FE1

V_CE=1V, I_C= 10mA

V_CE=1V, I_C= 100mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=1V, I_C= 100mA

100

DC current gain

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

0.25

1.2

_CE= 2V, I_C=10mA

Transition frequency

f_T

100

MHz

f=100MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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