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MMBTA06 PDF预览

MMBTA06

更新时间： 2024-01-22 04:11:58
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBTA06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.08
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMBTA06 数据手册

 浏览型号MMBTA06的Datasheet PDF文件第2页 
MMBTA05 / MMBTA06  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Types Available  
(MMBTA55 / MMBTA56)  
Ideal for Medium Power Amplification and  
Switching  
SOT-23  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.19  
2.10  
0.89  
0.45  
1.78  
2.65  
0.013  
0.89  
0.45  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.05  
0.61  
2.05  
3.05  
0.15  
1.10  
0.61  
0.178  
A
·
C
B
TOP VIEW  
B
C
C
Mechanical Data  
D
B
E
E
·
·
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
MMBTA05 Marking: K1G, K1H, R1H  
MMBTA06 Marking: K1G, R1G  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
D
G
E
G
H
H
·
·
·
·
J
M
K
K
J
L
L
M
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
MMBTA05  
MMBTA06  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
60  
60  
80  
80  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
4.0  
500  
350  
357  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
mA  
mW  
K/W  
°C  
Pd  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
V(BR)CBO  
I
I
C = 100mA, IE = 0  
¾
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
C = 1.0mA, IB = 0  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
¾
¾
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = 100mA, IC = 0  
4.0  
MMBTA05  
MMBTA06  
VCB = 60V, IE = 0  
CB = 80V, IE = 0  
¾
100  
nA  
V
Collector Cutoff Current  
MMBTA05  
MMBTA06  
VCE = 60V, IBO = 0V  
CE = 80V, IBO = 0V  
ICES  
¾
100  
nA  
V
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
IC  
= 10mA, VCE = 1.0V  
hFE  
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
DC Current Gain  
100  
¾
¾
I
C = 100mA, VCE = 1.0V  
IC = 100mA, IB = 10mA  
IC = 100mA, VCE = 1.0V  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base- Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
¾
¾
0.25  
1.2  
V
V
VCE = 2.0V, IC = 10mA,  
f = 100MHz  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
100  
¾
MHz  
Note:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Pulse test: Pulse width £ 300ms, duty cycle £ 2%.  
DS30037 Rev. C-2  
1 of 2  
MMBTA05 / MMBTA06  
12

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MMBTA06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMMBTA06LT1G ONSEMI

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MMBTA56LT1G ONSEMI

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MMBTA06LT1G ONSEMI

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MMBTA06_D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBTA06-3L BL Galaxy Electrical

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 		80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBTA06-7 DIODES

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 		Transistor

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