MMBTA05-T

更新时间： 2024-02-25 16:57:39

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	653K
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Transistor

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MMBTA05-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA05-T 数据手册

MMBTA05

THRU

MMBTA06

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Epitaxial Planar Die Construction

NPN Small Signal

General Purpose

Amplifier Transistors

Complementary PNP Types Available (MMBTA55/MMBTA56)

Ideal for Medium Power Amplification and Switching.

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Marking:

MMBTA05:1H/K1H

MMBTA06:1GM/K1G

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

MMBTA05

MMBTA06

V_CBO

Collector-Base Voltage

MMBTA05

4.0

500

300

MMBTA06

V_EBO

I_C

P_D

R_θJA

T_J

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Power Dissipation*

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

K/W

357

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified

Max

DIMENSIONS

Symbol

Parameter

Min

Units

INCHES

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

MAX

NOTE

OFF CHARACTERISTICS

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Vdc

MMBTA05

MMBTA06

---

1.78

.45

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0) MMBTA05

(V_CB=80Vdc, I_E=0) MMBTA06

Emitter Cutoff Current

.013

.89

.100

1.12

.180

.51

4.0

---

.085

.37

---

0.1

µAdc

Suggested Solder

Pad Layout

I_CES

(V_CE=60Vdc, I_B=0) MMBTA05

(V_CE=80Vdc, I_B=0) MMBTA06

---

0.1

µAdc

.031

.800

ON CHARACTERISTICS

.035

.900

h_FE

DC Current Gain

(V_CE=1.0Vdc, I_C=10mAdc)

(V_CE=1.0Vdc, I_C=100mAdc)

100

---

.079

2.000

inches

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Base-Emitter On Voltage

(I_C=100mAdc, IB=10mAdc)

Current-Gain—Bandwidth Product

(I_C=10mAdc, V_CE=2.0Vdc, f=100MHz)

---

0.25

1.2

---

Vdc

MHz

.037

.950

100

.037

.950

* Valid provided that terminals are kept at ambient temperature..

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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