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MMBTA05-7-F PDF预览

MMBTA05-7-F

更新时间： 2024-11-04 03:03:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBTA05-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.72其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMBTA05-7-F 数据手册

 浏览型号MMBTA05-7-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA05-7-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: MMBTA05 MMBTA06  
MMBTA05 / MMBTA06  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type Available  
(MMBTA55 / MMBTA56)  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
•
•
•
B
C
Qualified to AEC-Q101 Standards for High  
Reliability  
TOP VIEW  
D
G
E
Mechanical Data  
H
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Alloy 42 leadframe).  
MMBTA05 Marking (See Page 3): K1G, K1H  
MMBTA06 Marking (See Page 3): K1G  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
G
H
J
K
M
J
L
•
•
•
•
3
K
L
C
M
α
•
•
•
•
All Dimensions in mm  
E
2
B
1
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Pd  
RθJA  
MMBTA05  
MMBTA06  
Unit  
V
V
60  
60  
80  
80  
4.0  
500  
300  
417  
V
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
MMBTA05  
MMBTA06  
MMBTA05  
MMBTA06  
60  
80  
60  
80  
4.0  
V(BR)CBO  
V
⎯
IC = 100μA, IE = 0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
V
IC = 1.0mA, IB = 0  
⎯
⎯
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = 100μA, IC = 0  
VCB = 60V, IE = 0  
VCB = 80V, IE = 0  
VCE = 60V, IBO = 0V  
VCE = 80V, IBO = 0V  
MMBTA05  
MMBTA06  
MMBTA05  
MMBTA06  
100  
nA  
⎯
⎯
Collector Cutoff Current  
ICES  
100  
nA  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
IC = 10mA, VCE = 1.0V  
IC = 100mA, VCE = 1.0V  
IC = 100mA, IB = 10mA  
DC Current Gain  
hFE  
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
100  
⎯
⎯
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.25  
1.2  
V
V
⎯
⎯
IC = 100mA, VCE = 1.0V  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
VCE = 2.0V, IC = 10mA,  
f = 100MHz  
Current Gain-Bandwidth Product  
fT  
100  
MHz  
⎯
Note: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30037 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
MMBTA05 / MMBTA06  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
123

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MMBTA05-7-F 替代型号

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 		暂无描述
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 		Driver Transistors(NPN Silicon)

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