5秒后页面跳转
MMBT9013-H-AE3-R PDF预览

MMBT9013-H-AE3-R

更新时间: 2024-09-09 14:43:39
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBT9013-H-AE3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.22
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):144JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MMBT9013-H-AE3-R 数据手册

 浏览型号MMBT9013-H-AE3-R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT9013-H-AE3-R的Datasheet PDF文件第3页 
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
MMBT9013  
NPN SILICON TRANSISTOR  
1W OUTPUT AMPLIFIER OF  
POTABLE RADIOS IN CLASS  
B PUSH-PULL OPERATION  
„
FEATURES  
*High total Power Dissipation. (625mW)  
*High Collector Current. (500mA)  
*Excellent hFE linearity.  
*Complementary to UTC MMBT9012  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
3
MMBT9013-x-AE3-R MMBT9013L-x-AE3-R MMBT9013G-x-AE3-R SOT-23  
E
B
C
Tape Reel  
„
MARKING  
www.unisonic.com.tw  
1 of 3  
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R206-021.C  

与MMBT9013-H-AE3-R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT9013I UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013-I-AE3-R UTC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBT9013LD UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013LE UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013L-E-AE3-R UTC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBT9013LF UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013LG UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013L-G-AE3-R UTC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBT9013LH UTC

获取价格

Transistor
MMBT9013LI UTC

获取价格

Transistor