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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 270 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT9014G-D-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN |
|
| MMBT9014G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE |
|
| MMBT9014L-A-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| MMBT9014L-D-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| MMBT9014LT1 | WINNERJOIN |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| MMBT9014LT1_15 | WINNERJOIN |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| MMBT9014W | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| MMBT9015 | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| MMBT9015 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors |
|
| MMBT9015 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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