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MMBT9014C2

更新时间： 2024-09-15 14:55:23

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先科 - SWST		晶体管
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5页	753K
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小信号晶体管

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MMBT9014C2 数据手册

MMBT9014C2

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

SOT-23 Plastic Package

• For switching and AF amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

625

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：29/05/2023 Rev：02

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