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MMBT9014

更新时间： 2024-09-11 14:54:43

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先科 - SWST		晶体管
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4页	870K
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小信号晶体管

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MMBT9014 数据手册

MMBT9014

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

Low Collector Emitter Saturation Voltage

•

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Applications

• Switching

SOT-23 Plastic Package

• AF Amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated：05/08/2021 Rev：03

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