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MMBD4448WTP

更新时间： 2024-11-26 05:41:15

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
4页	78K
描述
DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

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MMBD4448WTP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68

MMBD4448WTP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBD4448WT

Micro Commercial Components

Features

Surface Mount

Switching Diode

200mW

ꢀ

Fast Switching Speed

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

For General Purpose Switching Applications

High Conductance

Mechanical Data

ꢀ Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

SOT-323

Classification Rating 94V-0

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Marking: KA3

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Symbol

V_RM

Value

100

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Volt.

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

VRWM

V^R

DIMENSIONS

INCHES

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

I_FM

DIM

MIN

.079

.045

.085

MAX

.087

.053

.096

MIN

2.00

1.15

2.15

MAX

2.20

1.35

2.45

NOTE

Forward Continuous Current(Note1)

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak @ t<=1.0s

Forward Surge Current @ t=1.0us

Power Dissipation(Note 1)

500

250

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

.000

.90

.08

I^FSM

.047

.055

.016

.004

.039

.006

.016

1.40

.40

.100

1.00

.15

.012

.000

.035

.003

.008

200

K/W

^oC

Thermal Resistance(Note 1)

Operation/Storage Temp. Range

Rthja

625

.20

.40

Tj, T^STG

-55 to +150

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Charateristic

Symbol Min

Max

Unit

Test Cond.

I_F=5.0mA

IF=10mA

0.90

0.62 0.72

Maximum Forward

Voltage Drop

V^FM

----- 0.855

1.90

I^F=100mA

I^F=150mA

V^R=75V

1.25

2.5

0.65

Maximum Peak

Reverse Current

I^RM

-----

uA VR=75V Tj=150^oC

uA V^R=25V Tj=150^oC

0.65

V^R=20V

Junction Capacitance

t^rr

-----

pF V^R=0V, f=1.0MHz

Reverse Recovery Time

Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature

2. Trr Test Condition: IF=IR=10mA, Irr=0.1*IR, R=100 OHM

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 4

2007/09/26

12 3 4

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与MMBD4448WTP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD4448WT-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MMBD4448WT-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 4V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-363, 6
MMBD4448WT-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, P
MMBD4448Z	SECOS	获取价格	0.25A , 100V Plastic-Encapsulated Switching Diode
MMBD451LT1	MOTOROLA	获取价格	Schottky Barrier Diodes
MMBD452	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
MMBD452	LGE	获取价格	Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD452LT1	ONSEMI	获取价格	DUAL HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MMBD452LT1_06	ONSEMI	获取价格	Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD452LT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

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