MMBD452

更新时间： 2024-11-25 12:21:23

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鲁光 - LGE		小信号肖特基二极管
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2页	241K
描述
Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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MMBD452 技术参数

Case Style：	SOT-23	IF(A)：	-
VRRM (V)：	30	IFSM (A)：	-
VF (V)：	0.6	@ IF (A)：	10
Maximum reverse current：	0.2	TRR(nS)：
class：	Diodes

MMBD452 数据手册

MMBD452

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

SOT-23

Features

Very low capacitance.

Extremely low minority carrier lifetime.

Low reverse leakage.

Power dissipation P_d=225mW.

Applications

Dimensions in inches and (millimeters)

Designed primarily for UHF and VHF detector

applications.

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOT-23

MMBD452

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Continuous reverse voltage

V_R

Power Dissipation

P_d

225

℃

Operating junction temperature range

Junction and storage temperature

T_J

-55 to+125

-55 to+150

T_STG

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Min. Typ. Max.

Unit Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V_(BR)

V_F

I_R=10μA

0.38 0.45

0.52 0.6

I_F=1.0mA

I_F=10mA

Forward voltage

Reverse current

Total Capacitanc

I_R

200

1.5

V_R=25V

C_T

0.9

V_R=15V,f=1MHz

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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