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MMBD452LT3

更新时间： 2024-11-25 19:56:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
33页 308K
描述
DIODE SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, Microwave Mixer Diode

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MMBD452LT3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.8配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1.5 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMBD452LT3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Schottky Barrier Diodes  
Motorola Preferred Devices  
These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector  
applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital  
applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost,  
high–volume consumer and industrial/commercial requirements.  
30 VOLTS  
DUAL HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
•
•
•
Extremely Low Minority Carrier Lifetime  
Very Low Capacitance  
Low Reverse Leakage  
3
1
2
CASE 318–08, STYLE 11  
SOT–23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Power Dissipation  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
ANODE  
CATHODE  
V
R
30  
Volts  
3
P
F
J
CATHODE/ANODE  
@ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating Junction  
Temperature Range  
T
°C  
°C  
–55 to +125  
–55 to +150  
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MMBD452LT1 = 5N  
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 15 V, f = 1.0 MHz) Figure 1  
C
0.9  
1.5  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V) Figure 3  
I
—
13  
200  
0.45  
0.6  
nAdc  
Vdc  
Vdc  
R
R
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc) Figure 4  
V
—
0.38  
0.52  
F
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc) Figure 4  
V
—
F
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
5–103  
1234567...33

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