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MMBD452LT1

更新时间： 2024-09-22 22:46:07
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安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
DUAL HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

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MMBD452LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.32配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1.5 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30

MMBD452LT1 数据手册

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ON Semiconductort  
Dual Hot-Carrier Diodes  
Schottky Barrier Diodes  
MMBD452LT1  
ON Semiconductor Preferred Devices  
These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and  
VHF detector applications. They are readily adaptable to many other  
fast switching RF and digital applications. They are supplied in an  
inexpensive plastic package for low–cost, high–volume consumer  
and industrial/commercial requirements.  
30 VOLTS  
DUAL HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
• Extremely Low Minority Carrier Lifetime  
• Very Low Capacitance  
• Low Reverse Leakage  
3
1
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
2
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Power Dissipation  
Symbol  
Value  
Unit  
CASE 318–08, STYLE 11  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
R
30  
Volts  
P
F
@ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
1
2
Derate above 25°C  
ANODE  
CATHODE  
Operating Junction  
Temperature Range  
T
°C  
°C  
J
3
–55 to +125  
–55 to +150  
CATHODE/ANODE  
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MMBD452LT1 = 5N  
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
—
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 15 V, f = 1.0 MHz) Figure 1  
C
T
0.9  
13  
1.5  
R
Reverse Leakage (V = 25 V) Figure 3  
I
R
—
200  
0.45  
0.6  
nAdc  
Vdc  
Vdc  
R
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc) Figure 4  
V
—
0.38  
0.52  
F
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc) Figure 4  
V
—
F
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMBD452LT1/D  
1234

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