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MMBD1205S62Z

更新时间： 2024-10-28 14:43:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	47K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

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MMBD1205S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD1205S62Z 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

MMBD1201 / 1203 / 1204 / 1205

CONNECTION DIAGRAMS

1201

1203

2 NC

1204

1205

MARKING

SOT-23

MMBD1201 24

MMBD1203 26

MMBD1204A 27

MMBD1205A 28

High Conductance Ultra Fast Diode

Sourced from Process 1P.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_O

200

600

700

I_F

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

i_f(surge)

1.0

2.0

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-55 to +150

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

150

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

MMBD1201/1203/1204/1205*

P_D

Total Device Dissipation

350

2.8

mW/ C

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

R_θ

C/W

*Device mounted on glass epoxy PCB 1.6" X 1.6" X 0.06"; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2

ã 1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBD1401_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, DO-35
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