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MMBD1403

更新时间： 2024-09-22 11:11:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 372K
描述
高电压通用二极管

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MMBD1403 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.06
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MMBD1403 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diodes  
MMBD1401, MMBD1403,  
MMBD1404, MMBD1405  
SOT−23  
SOT−23  
CASE 318BM  
CASE 318−08  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
(T = 25C unless otherwise noted) (Notes 1, 2)  
CONNECTION DIAGRAMS  
Rating  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
V
RRM  
3
3
1401  
1404  
1403  
I
200  
mA  
A
F(AV)  
Non−Repetitive Peak Forward Surge  
Current  
Pulse Width = 1.0 second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
I
FSM  
1.0  
2.0  
1
2NC  
1
2
2
3
3
1405  
Storage Temperature Range  
T
STG  
−55 to +150  
C  
C  
Operating Junction Temperature  
T
J
150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1
2
1
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
350  
Unit  
mW  
XXMG  
P
D
G
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
357  
C/W  
q
JA  
1
XX = Specific Device Code  
XX = 29/32/33/34  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25C unless otherwise noted)  
A
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min  
Max  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Breakdown  
Voltage  
B
V
I
R
= 100 mA  
200  
−
V
ORDERING INFORMATION  
Forward Voltage  
V
I = 10 mA  
−
760  
−
800  
920  
1.0  
1.1  
40  
mV  
mV  
V
F
F
†
I = 50 mA  
F
Device  
Package  
Shipping  
I = 200 mA  
F
MMBD1401  
SOT−23  
3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
I = 300 mA  
F
−
V
MMBD1403  
MMBD1404  
MMBD1405  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
Reverse Current  
Total Capacitance  
I
R
V
V
V
= 120 V  
= 175 V  
= 0,  
−
nA  
nA  
pF  
R
R
R
−
100  
2.0  
SOT−23  
(Pb−Free)  
C
−
T
f = 1.0 MHz  
SOT−23  
Reverse Recovery  
Time  
t
rr  
I = I = 30 mA,  
−
50  
ns  
F
RR  
R
(Pb−Free)  
I
= 3.0 mA,  
R = 100 W  
L
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 2  
MMBD1405/D  
 
1234567

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