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MMBD1404-TP

更新时间: 2024-02-20 18:44:57
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 97K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBD1404-TP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.42
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

MMBD1404-TP 数据手册

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MMBD1401  
MMBD1403  
MMBD1404  
MMBD1405  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
)HDWXUHVꢀ  
High Voltage  
General Purpose  
Diode  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Low Current Leakage  
CONNECTION DIAGRAMS  
x
High Reverse Voltage  
3
3
1401  
1403  
3
2 NC  
1
1
2
3
SOT-23  
3
1405  
1404  
XX  
A
D
1
2
1
2
1
2
MARKING  
B
C
MMBD1401 29 MMBD1404 33  
MMBD1403 32 MMBD1405 34  
F
E
0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ  
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
H
G
J
Maximum Thermal Resistance; 357°C/W Junction To Ambient  
K
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
Recurrent Peak Forward Current  
Non-repetitive Peak Forward  
Surge Current  
Pulse width = 1.0second  
Pulse width = 1.0 microsecond  
Total Device Power Dissipation  
Derate above 25  
WIV  
IF(AV)  
IFM  
175  
200  
600  
700  
V
mA  
mA  
mA  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
IFRM  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
IFSM  
PD  
1.0  
2.0  
350  
2.8  
A
A
mW  
mW/  
F
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
.085  
.37  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
°
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Test Condition  
IR=100 A  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=200mA  
IF=300mA  
Breakdown Voltage  
VR  
200V  
.031  
.800  
850mV  
950mV  
1.3V  
Instantaneous  
Reverse Current  
760 mV  
.035  
.900  
VFM  
1.5V  
.079  
2.000  
inches  
mm  
Maximum  
Instantaneous  
Reverse Current  
40nA  
100nA  
VR=120V  
VR=175V  
IR  
Measured at  
1.0MHz, VR=0V  
Junction Capacitance  
CO  
2.0pF  
50nS  
.037  
.950  
IF=IR=30mA  
Reverse Recovery  
Time  
.037  
.950  
Trr  
IRR =1.0mA  
RL=100 OHM  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 5  
2008/01/01  

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