MMBD1501A

更新时间： 2024-01-31 04:20:52

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美微科 - MCC		整流二极管光电二极管 PC
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描述
High Conductance Low Leakage Diode 350mW

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MMBD1501A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
最大重复峰值反向电压：	180 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MMBD1501A 数据手册

MMBD1501(A)

THRU

MMBD1505(A)

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

High Conductance

Low Leakage Diode

350mW

Low Leakage

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

High Conductance

Mechanical Data

l Case: SOT-23, Molded Plastic

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: See Diagram

SOT-23

l Weight: 0.008 grams ( approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Working Inverse Voltage

DC Forward Current

Symbol

V_IV

Value

180

Unit

I^F

i_f

600

Average Rectified Current

Recurrent Peak Forward Current

200

700

1.0

2.0

DIMENSIONS

Peak Forward Surge Current @

t=1.0s

@t=1.0ms

i_f(surge)

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

Power Dissipation

350

357

^oC/W

^oC

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Thermal Resistance

Operation & Storage Temp. Range

Tj, T^STG

-55 to +150

Note: 1) These ratings are based on a max. junction temperature of 150 degrees C

2) These are steady state limits. T he factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operation

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Charateristic

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

Breakdown Voltage

200

IR=5.0uA

I^F=1.0mA

I_F=10mA

I^F=50mA

I^F=100mA

I^F=200mA

I_F=300mA

.031

.800

620

720

800

750 mV

850 mV

950 mV

.035

.900

Forward Voltage Drop

0.83 1.1

.079

2.000

inches

0.87

0.9

1.3

1.5

V_R=125V

1.0

3.0

VR=125V TA=150^oC

I_R

Reverse Current

-----

.037

.950

V^R=180V

V_{R=180V TA=150 C}

.037

.950

5.0

Junction Capacitance

VR=0V, f=1.0MHz

www.mccsemi.com

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1501A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
MMBD1501AD87Z	TI	获取价格	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1501AD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon
MMBD1501AL99Z	TI	获取价格	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1501AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon
MMBD1501AS62Z	TI	获取价格	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1501A-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
MMBD1501A-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
MMBD1501A-TG-WS	WILLAS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
MMBD1501A-TH-WS	WILLAS	获取价格	Rectifier Diode,

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