MMBD1503

更新时间： 2024-02-19 13:39:40

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	147K
描述
High Conductance Low Leakage Diode 350mW

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBD1503 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	0.95	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	180 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

MMBD1503 数据手册

MMBD1501(A)

THRU

MMBD1505(A)

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

High Conductance

Low Leakage Diode

350mW

Low Leakage

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

High Conductance

Mechanical Data

l Case: SOT-23, Molded Plastic

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: See Diagram

SOT-23

l Weight: 0.008 grams ( approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Working Inverse Voltage

DC Forward Current

Symbol

V_IV

Value

180

Unit

I^F

i_f

600

Average Rectified Current

Recurrent Peak Forward Current

200

700

1.0

2.0

DIMENSIONS

Peak Forward Surge Current @

t=1.0s

@t=1.0ms

i_f(surge)

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

Power Dissipation

350

357

^oC/W

^oC

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Thermal Resistance

Operation & Storage Temp. Range

Tj, T^STG

-55 to +150

Note: 1) These ratings are based on a max. junction temperature of 150 degrees C

2) These are steady state limits. T he factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operation

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Charateristic

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

Breakdown Voltage

200

IR=5.0uA

I^F=1.0mA

I_F=10mA

I^F=50mA

I^F=100mA

I^F=200mA

I_F=300mA

.031

.800

620

720

800

750 mV

850 mV

950 mV

.035

.900

Forward Voltage Drop

0.83 1.1

.079

2.000

inches

0.87

0.9

1.3

1.5

V_R=125V

1.0

3.0

VR=125V TA=150^oC

I_R

Reverse Current

-----

.037

.950

V^R=180V

V_{R=180V TA=150 C}

.037

.950

5.0

Junction Capacitance

VR=0V, f=1.0MHz

www.mccsemi.com

12 3

中文翻译

下载PDF

MMBD1503 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBD1503A	ONSEMI	功能相似	高导通，低漏二极管
MMBD1503-TP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
MMBD2004S-7-F	DIODES	功能相似	HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

与MMBD1503相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1503A	MCC	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode 350mW
MMBD1503A	LGE	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1503A	BL Galaxy Electrical	获取价格	High conductance low leakage diode
MMBD1503A	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD1503A	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1503A	ONSEMI	获取价格	高导通，低漏二极管
MMBD1503A	CJ	获取价格	SOT-23
MMBD1503A	WON-TOP	获取价格	SMD
MMBD1503A	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.2A,200V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
MMBD1503A_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon

与MMBD1503相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

7
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBD1503

MMBD1503 技术参数

MMBD1503 数据手册

MMBD1503 替代型号

与MMBD1503相关器件

与MMBD1503相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBD1503

MMBD1503 技术参数

MMBD1503 数据手册

MMBD1503 替代型号

与MMBD1503相关器件

与MMBD1503相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？