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MMBD1503A PDF预览

MMBD1503A

更新时间： 2024-11-30 11:12:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 357K
描述
高导通，低漏二极管

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MMBD1503A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：42 weeks风险等级：0.84
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1049581Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 3LSamacsys Released Date：2018-02-26 20:44:11
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.15 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD1503A 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Diode – Small Signal  
MMBD1501A, MMBD1503A,  
MMBD1504A, MMBD1505A  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318−08  
SOT−23  
CASE 318BM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.) (Notes 1, 2)  
A
CONNECTION DIAGRAMS  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
200  
1.0  
Unit  
V
3
3
3
1501A  
1504A  
1503A  
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
I
mA  
A
F(AV)  
I
Non−Repetitive  
Peak Forward  
Surge Current  
Pulse Width = 1.0 s  
FSM  
1
2NC  
1
1
2
Pulse Width = 1.0 ms  
2.0  
3
1505A  
T
Storage Temperature Range  
−55 to +150  
−55 to +150  
°C  
°C  
STG  
T
J
Operating Junction Temperature  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1
2
2
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
A1xMG  
G
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
350  
Unit  
mW  
1
P
D
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
357  
°C/W  
θ
JA  
A1x = Specific Device Code  
x = 1, 3, 4, 5  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
V
R
Breakdown  
Voltage  
I
R
= 5.0 mA  
200  
−
V
V
Forward Voltage I = 1.0 mA  
620  
720  
800  
830  
0.87  
0.90  
−
720  
830  
890  
930  
1.10  
1.15  
1.0  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
F
F
I = 10 mA  
F
I = 50 mA  
F
I = 100 mA  
F
I = 200 mA  
F
I = 300 mA  
F
V
I
R
Reverse Current  
V
R
= 125 V  
nA  
mA  
V
A
= 125 V,  
−
3.0  
R
T = 150°C  
V
= 180 V  
−
−
10.0  
5.0  
nA  
R
V
R
= 180 V,  
mA  
T = 150°C  
A
C
Total  
Capacitance  
V
= 0,  
−
4.0  
pF  
T
R
f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1993  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 6  
MMBD1501/D  
 
1234567

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MMBD1503A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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