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MMBD1501AS62Z

更新时间: 2024-01-16 08:54:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1501AS62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.65
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MMBD1501AS62Z 数据手册

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