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MMBD1501-TP-HF

更新时间： 2024-11-29 21:09:55

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	265K
描述
Rectifier Diode,

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MMBD1501-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
最大重复峰值反向电压：	180 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MMBD1501-TP-HF 数据手册

MMBD1501

THRU

MMBD1505

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

High Conductance

Low Leakage Diode

350mW

ꢀ Low Leakage

ꢀ Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

ꢀ 150C Junction Temperature

ꢀ Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

ꢀ Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Mechanical Data

SOT-23

ꢀ Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

ꢀ Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Working Inverse Voltage

DC Forward Current

Symbol

V_IV

Value

180

Unit

I^F

i_f

600

Average Rectified Current

Recurrent Peak Forward Current

200

700

1.0

2.0

DIMENSIONS

Peak Forward Surge Current @

t=1.0s

@t=1.0ms

i_f(surge)

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

Power Dissipation

R_θJA

350

357

^oC/W

^oC

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Operation & Storage Temp. Range

Tj, TSTG

-55 to +150

1.78

.45

Note: 1) These ratings are based on a max. junction temperature of 150 degrees C

2) These are steady state limits. T he factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operation

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

.013

.89

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Charateristic

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

Breakdown Voltage

200

IR=5.0uA

I^F=1.0mA

I_F=10mA

IF=50mA

I^F=100mA

I^F=200mA

I_F=300mA

.031

.800

620

720

800

750 mV

850 mV

950 mV

.035

.900

Forward Voltage Drop

0.83 1.1

.079

2.000

inches

0.87

0.9

1.3

1.5

I_R

Reverse Current

-----

.037

.950

5.0

V^R=180V

V_{R=180V TA=150 C}

.037

.950

Junction Capacitance

VR=0V, f=1.0MHz

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: D

2013/01/01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1502A	TI	获取价格	200V, SILICON, SIGNAL DIODE
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MMBD1503	MCC	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode 350mW
MMBD1503	YANGJIE	获取价格	SOT-23
MMBD1503A	MCC	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode 350mW
MMBD1503A	LGE	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1503A	BL Galaxy Electrical	获取价格	High conductance low leakage diode
MMBD1503A	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD1503A	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
MMBD1503A	ONSEMI	获取价格	高导通，低漏二极管

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