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MMBD1501AL99Z

更新时间: 2024-11-29 14:38:15
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1501AL99Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.65
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.15 VJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.01 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MMBD1501AL99Z 数据手册

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