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MMBD1403A

更新时间： 2023-09-03 20:33:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管信号二极管
页数 文件大小 规格书
7页 379K
描述
小信号二极管

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MMBD1403A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.35 W
认证状态：COMMERCIAL最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMBD1403A 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
High-Voltage  
General-Purpose Diode  
MMBD1401A, MMBD1403A,  
MMBD1404A, MMBD1405A  
SOT−23  
CASE 318BM  
SOT−23  
CASE 318−08  
Description  
Sourced from process 2V.  
CONNECTION DIAGRAMS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
3
3
1401A  
1404A  
1403A  
1405A  
(T = 25C unless otherwise noted) (Notes 1, 2)  
Rating  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
Symbol  
Value  
175  
Unit  
V
W
IV  
I
O
200  
mA  
mA  
mA  
A
1
2NC  
1
2
2
I
F
600  
3
3
Recurrent Peak Forward Current  
i
f
700  
Non−Repetitive Peak Forward Surge  
Current  
i
f(surge)  
Pulse Width = 1.0 second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
1.0  
2.0  
1
2
1
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
C  
C  
STG  
Operating Junction Temperature  
T
J
150  
MARKING DIAGRAM  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
AXXMG  
G
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
(T = 25C unless otherwise noted) (Note 3)  
A
AXX = Specific Device Code  
XX = 29/32/33/34  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
350  
2.8  
Unit  
mW  
P
D
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
Derate Above 25C  
mW/C  
C/W  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
357  
q
JA  
3. Device is mounted on glass epoxy PCB 1.6 inch 1.6 inch 0.06 inch,  
2
mounting pad for the collector lead minimum 0.93 in .  
ORDERING INFORMATION  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
(T = 25C unless otherwise noted)  
MMBD1401A  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
Parameter  
Symbol  
Condition  
= 100 mA  
= 120 V  
Min  
250  
−
Max  
−
Unit  
V
Breakdown Voltage  
Reverse Current  
B
I
I
R
V
MMBD1403A  
MMBD1404A  
MMBD1405A  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
V
V
40  
nA  
nA  
mV  
mV  
V
R
R
= 175 V  
−
100  
800  
920  
1.1  
1.25  
2.0  
50  
R
Forward Voltage  
V
F
SOT−23  
(Pb−Free)  
I = 10 mA  
−
F
I = 50 mA  
760  
−
F
SOT−23  
(Pb−Free)  
I = 200 mA  
F
I = 300 mA  
−
V
F
Diode Capacitance  
C
V
= 0, f = 1.0 MHz  
−
pF  
ns  
O
R
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Reverse Recovery  
Time  
t
rr  
I = I = 30 mA,  
−
F
I
R
= 3.0 mA,  
RR  
L
R = 100 W  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 2  
MMBD1405A/D  
 
1234567

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