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MMBD1403

更新时间： 2024-01-22 09:53:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	582K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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MMBD1403 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MMBD1403 数据手册

MMBD1401

MMBD1403

MMBD1404

MMBD1405

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

ꢀ

)HDWXUHVꢀ

High Voltage

General Purpose

Diodeꢀ

•

Low Current Leakage

Available in a Surface Mount Package

High Reverse Voltage

CONNECTION DIAGRAMS

1401

1403

2 NC

SOT-23

1405

1404

MARKING

MMBD1401 29 MMBD1404 33

MMBD1403 32 MMBD1405 34

0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 357°C/W Junction To Ambient

Working Inverse Voltage

Average Rectified Current

DC Forward Current

Recurrent Peak Forward Current

Non-repetitive Peak Forward

Surge Current

Pulse width = 1.0second

Pulse width = 1.0 microsecond

Total Device Power Dissipation

Derate above 25

W_IV

I_F(AV)

I_FM

175

200

600

700

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

I_FRM

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

I_FSM

P_D

1.0

2.0

350

2.8

mW/

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Min

200V

Parameter

Symbol

Max

Test Condition

I_R=100 A

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=200mA

I_F=300mA

Breakdown Voltage

V_R

.031

.800

850mV

950mV

1.3V

Instantaneous

Reverse Current

760 mV

.035

.900

V_FM

1.5V

.079

2.000

inches

Maximum

Instantaneous

Reverse Current

40nA

100nA

V_R=120V

V_R=175V

I_R

Measured at

1.0MHz, V_R=0V

Junction Capacitance

C_O

2.0pF

50nS

.037

.950

I_F=I_R=30mA

Reverse Recovery

Time

.037

.950

T_rr

I_RR=1.0mA

R_L=100 OHM

www.mccsemi.com

Revision: 3

2003/04/30

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD1403A	FAIRCHILD	获取价格	High Voltage General Purpose Diode
MMBD1403A	ONSEMI	获取价格	小信号二极管
MMBD1403A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, Silicon, LEAD FREE, DO-214AC
MMBD1403AD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon
MMBD1403AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon
MMBD1403ALT1G	ONSEMI	获取价格	250 V Switching Diode
MMBD1403AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon
MMBD1403D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon
MMBD1403L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon
MMBD1403S62Z	TI	获取价格	0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

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