5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJL3281A
MJL3281A PDF预览

MJL3281A

更新时间： 2024-11-19 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJL3281A 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-264AA包装说明：PLASTIC, TO-3PBL, TO-264, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.65
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：260 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：45
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

MJL3281A 数据手册

 浏览型号MJL3281A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJL3281A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJL3281A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJL3281A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJL3281A的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by MJL3281A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
*Motorola Preferred Device  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON POWER  
TRANSISTORS  
200 VOLTS  
The MJL3281A and MJL1302A are PowerBase power transistors for high power  
audio, disk head positioners and other linear applications.  
• Designed for 100 W Audio Frequency  
• Gain Complementary:  
200 WATTS  
— Gain Linearity from 100 mA to 7 A  
— High Gain — 60 to 175  
— h  
FE  
= 45 (Min) @ I = 8 A  
C
• Low Harmonic Distortion  
• High Safe Operation Area — 1 A/100 V @ 1 Second  
• High f — 30 MHz Typical  
T
CASE 340G–02, STYLE 2  
TO–264  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
200  
200  
7
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V  
Collector Current — Continuous  
V
CEX  
200  
I
C
15  
25  
(1)  
Collector Current — Peak  
Base Current — Continuous  
I
B
1.5  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate Above 25°C  
P
D
200  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
– 65 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
200  
7
—
—
—
—
C
B
Emitter–Base Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
EBO  
Vdc  
E
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 10%.  
(continued)  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Designer’s is a trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1998
123456

中文翻译

下载PDF

MJL3281A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJL3281AG ONSEMI

完全替代

 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS
2SC5101 SANKEN

功能相似

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC4388 SANKEN

功能相似

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

与MJL3281A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJL3281A_05 ONSEMI

获取价格

 		15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS
MJL3281AG ONSEMI

获取价格

 		15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS
MJL4281A ONSEMI

获取价格

 		Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJL4281A_06 ONSEMI

获取价格

 		15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 350 VOLTS, 230 WATTS
MJL4281AG ONSEMI

获取价格

 		15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 350 VOLTS, 230 WATTS
MJL4302A ONSEMI

获取价格

 		Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJL4302AG ONSEMI

获取价格

 		15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 350 VOLTS, 230 WATTS
MJLF147-X NSC

获取价格

 		WIDE BANDWIDTH QUAD JFET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
MJLF155-X NSC

获取价格

 		JFET INPUT LOW POWER
MJLM108A-X NSC

获取价格

 		OPERATIONAL AMPLIFIERS (SINGLE)

与MJL3281A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证