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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJL3281A
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MJL3281A

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJL3281A 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-264AA包装说明：PLASTIC, TO-3PBL, TO-264, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.65
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：260 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：45
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

MJL3281A 数据手册

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by MJL3281A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
*Motorola Preferred Device  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON POWER  
TRANSISTORS  
200 VOLTS  
The MJL3281A and MJL1302A are PowerBase power transistors for high power  
audio, disk head positioners and other linear applications.  
• Designed for 100 W Audio Frequency  
• Gain Complementary:  
200 WATTS  
— Gain Linearity from 100 mA to 7 A  
— High Gain — 60 to 175  
— h  
FE  
= 45 (Min) @ I = 8 A  
C
• Low Harmonic Distortion  
• High Safe Operation Area — 1 A/100 V @ 1 Second  
• High f — 30 MHz Typical  
T
CASE 340G–02, STYLE 2  
TO–264  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
200  
200  
7
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V  
Collector Current — Continuous  
V
CEX  
200  
I
C
15  
25  
(1)  
Collector Current — Peak  
Base Current — Continuous  
I
B
1.5  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate Above 25°C  
P
D
200  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
– 65 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
200  
7
—
—
—
—
C
B
Emitter–Base Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
EBO  
Vdc  
E
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 10%.  
(continued)  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Designer’s is a trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1998
123456

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MJL3281A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJL3281AG ONSEMI

完全替代

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