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2SC4388

更新时间： 2024-11-19 22:39:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC4388 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：180 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：85 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SC4388 数据手册

  
2 S C4 3 8 8  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1673)  
Application : Audio and General Purpose  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=200V  
2SC4388  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
µA  
µA  
V
2SC4388  
Unit  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
10max  
10max  
180min  
50min  
200  
V
IEBO  
VEB=6V  
180  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=50mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=3A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
15  
4
A
a
b
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
20typ  
IB  
V
MHz  
pF  
A
PC  
85(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
0.8  
COB  
300typ  
Tj  
2.15  
+0.2  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
1.05  
-0.1  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
ton  
(µs)  
B
E
40  
4
10  
10  
–5  
1
1.8max  
0.6max  
–1  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
15  
15  
10  
3
10  
2
1
5
50mA  
5
0
IB=20mA  
IC=10A  
5A  
0
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
300  
200  
125˚C  
100  
1
Typ  
25˚C  
100  
50  
0.5  
50  
–30˚C  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
40  
100  
80  
Typ  
10  
5
60  
1
40  
0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
–0.02  
0.05  
–0.1  
–1  
Emitter Current IE(A)  
–10  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
102  
1

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2SC4388 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5101 SANKEN

类似代替

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC3856 SANKEN

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MJL3281AG ONSEMI

功能相似

 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS

与2SC4388相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4388_01 SANKEN

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 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC4388O ISC

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 		Transistor
2SC4388O SANKEN

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 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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 		Adoption of MBIT process. High DC current gain (hFE=800 to 3200).

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