5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> 2SC5101
2SC5101 PDF预览

2SC5101

更新时间： 2024-11-19 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC5101 数据手册

  
2 S C5 1 0 1  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1909)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC5101  
Symbol  
ICBO  
Unit  
2SC5101  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
V
10max  
10max  
140min  
50min  
VCB=200V  
140  
IEBO  
V
VEB=6V  
V(BR)CEO  
hFE  
6
V
IC=50mA  
±0.2  
ø3.3  
10  
4
A
VCE=4V, IC=3A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
a
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
0.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
COB  
250typ  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
E
60  
12  
5
10  
–5  
0.5  
–0.5  
0.24typ  
4.32typ 0.40typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
10  
10  
8
3
8
6
4
2
0
2
1
6
4
2
0
IC=10A  
10mA  
5A  
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emitter Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
300  
125˚C  
Typ  
100  
50  
1
100  
50  
25˚C  
0.5  
–30˚C  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10  
0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
80  
30  
40  
30  
20  
10  
5
60  
40  
Typ  
1
0.5  
10  
0
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
3
5
10  
50  
100  
–0.02  
–0.1  
–1  
Emitter Current IE(A)  
–10  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
127  
1

中文翻译

下载PDF

2SC5101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3856 SANKEN

类似代替

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC4388 SANKEN

类似代替

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
MJL3281AG ONSEMI

功能相似

 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS

与2SC5101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5101_01 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC5101_15 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC5101_2015 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC5101O ISC

获取价格

 		Transistor
2SC5101P ISC

获取价格

 		Transistor
2SC5101Y SANKEN

获取价格

 		暂无描述
2SC5103 ROHM

获取价格

 		High speed switching transistor (60V, 5A)
2SC5103/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5103/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5103/Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

与2SC5101相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证