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2SC5101

更新时间： 2024-10-13 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC5101 数据手册

  
2 S C5 1 0 1  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1909)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC5101  
Symbol  
ICBO  
Unit  
2SC5101  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
V
10max  
10max  
140min  
50min  
VCB=200V  
140  
IEBO  
V
VEB=6V  
V(BR)CEO  
hFE  
6
V
IC=50mA  
±0.2  
ø3.3  
10  
4
A
VCE=4V, IC=3A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
a
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
0.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
COB  
250typ  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
E
60  
12  
5
10  
–5  
0.5  
–0.5  
0.24typ  
4.32typ 0.40typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
10  
10  
8
3
8
6
4
2
0
2
1
6
4
2
0
IC=10A  
10mA  
5A  
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emitter Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
300  
125˚C  
Typ  
100  
50  
1
100  
50  
25˚C  
0.5  
–30˚C  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10  
0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
80  
30  
40  
30  
20  
10  
5
60  
40  
Typ  
1
0.5  
10  
0
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
3
5
10  
50  
100  
–0.02  
–0.1  
–1  
Emitter Current IE(A)  
–10  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
127  
1

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2SC5101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3856 SANKEN

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功能相似

 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5101_01 SANKEN

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2SC5101_15 JMNIC

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 		暂无描述
2SC5103 ROHM

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