MJE521

更新时间： 2024-11-24 22:33:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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4页	64K
描述
SILICON NPN TRANSISTOR

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MJE521 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJE521 数据手册

MJE521

SILICON NPN TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

DESCRIPTION

The MJE521 is a silicon epitaxial-base NPN

transistor in Jedec SOT-32 plastic package,

intended for use in 5 to 20W audio amplifiers,

general purpose amplifier and switching circuits.

SOT-32

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

I_CM

Collector Peak Current

I_B

Base Current

P_tot

Total Dissipation at Tc ≤ 25 C

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to +150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

June 1997

12 3 4

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MJE521 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJE521G	ONSEMI	功能相似	Plastic Medium−Power NPN Silicon Transistor
BDW42	MOTOROLA	功能相似	Darlington Complementary Silicon Power Transistors

与MJE521相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE521_03	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON NPN TRANSISTOR
MJE521G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power NPN Silicon Transistor
MJE521LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE52T	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
MJE53T	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
MJE5420Z16	MOTOROLA	获取价格	10A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE5420Z16A	MOTOROLA	获取价格	10 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE5420ZA	MOTOROLA	获取价格	10A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE5420ZAF	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
MJE5420ZAJ	MOTOROLA	获取价格	10A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB