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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 6000 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5420ZU2 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5420ZUA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5420ZW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5420ZWD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5555 | KEC |
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TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
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| MJE5730 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| MJE5730 | MOTOROLA |
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1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
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| MJE5730_06 | ONSEMI |
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High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
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| MJE573016 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE573016A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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