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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJE5730G | ONSEMI |
功能相似  |
High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5730_06 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
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| MJE573016 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE573016A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5730A | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5730AF | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5730C | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| MJE5730D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5730G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
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| MJE5730L | MOTOROLA |
获取价格 |
1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| MJE5730N | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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