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MJE5555

更新时间： 2024-11-02 03:45:43
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KEC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 446K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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MJE5555 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJE5555 数据手册

 浏览型号MJE5555的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
MJE5555  
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.  
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.  
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.  
FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.  
A
O
C
F
DIM MILLIMETERS  
E
I
_
G
A
B
C
D
E
F
9.9 + 0.2  
FEATURES  
15.95 MAX  
B
1.3+0.1/-0.05  
Q
Excellent Switching Times  
_
0.8+ 0.1  
_
3.6 0.2  
+
: tstg=2.5 S(Max.), tf=0.3 S(Max.), at IC=2.5A  
High Collector Voltage : VCBO=1050V.  
_
2.8 + 0.1  
K
P
3.7  
G
H
I
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
M
N
L
J
_
J
13.08+ 0.3  
D
K
L
M
N
O
P
1.46  
_
H
1.4 + 0.1  
N
_
1.27+ 0.1  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
_
2.54+ 0.2  
_
+
4.5 0.2  
_
SYMBOL RATING UNIT  
+
2.4 0.2  
_
9.2 + 0.2  
Q
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
1050  
400  
12  
V
V
V
1. BASE  
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
DC  
Pulse  
5
Collector Current  
Base Current  
A
TO-220AB  
ICP  
10  
IB  
2.5  
A
PC  
75  
W
Collector Power Dissipation (Tc=25  
)
Tj  
Junction Temperature  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
VEB=14V, IC=0  
-
10  
20  
-
-
-
10  
-
A
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE=5V, IC=10mA  
VCE=3V, IC=0.8A  
IC=1A, IB=0.2A  
DC Current Gain  
-
40  
0.5  
1.5  
1.2  
1.6  
-
-
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
IC=3.5A, IB=1A  
-
-
IC=3.5A, IB=1A  
-
-
VBE(sat)  
V
IC=2A, IB=0.5A  
-
-
Cob  
ton  
VCB=10V, f=0.1MHz, IE=0  
Collector Output Capacitance  
Turn-On Time  
-
45  
pF  
S
OUTPUT  
-
-
-
-
-
-
2.0  
2.5  
0.3  
300µS  
I
I
B1  
INPUT  
B2  
I
100Ω  
B1  
tstg  
tf  
Storage Time  
Fall Time  
S
S
B2  
I
I
B1=+0.5A, IB2=-1.0A  
V
CC  
=250V  
<
DUTY CYCLE 2%  
=
Note : hFE Classification R:20 30, O:25 35, Y: 30~40  
2007. 9. 10  
Revision No : 1  
1/2  
12

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