5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 6000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5420ZU | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| MJE5420ZU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE5420ZUA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE5420ZW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE5420ZWD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE5555 | KEC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
|
| MJE5730 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
|
| MJE5730 | MOTOROLA |
获取价格 |
1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
|
| MJE5730_06 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
|
| MJE573016 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
