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MJE2361TAK

更新时间： 2024-11-25 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 340K
描述
0.5A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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MJE2361TAK 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.92外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

MJE2361TAK 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
0.5 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
. . . useful for general–purpose, high voltage applications requiring high f .  
T
•
•
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 350 Vdc (Min) @ I = 2.5 mAdc  
350 VOLTS  
30 WATTS  
V
CEO(sus)  
DC Current Gain —  
= 40 (Min) @ I = 100 mAdc — MJE2361T  
C
h
FE  
Current–Gain–Bandwidth Product —  
= 10 MHz (Typ) @ I = 50 mAdc  
C
f
T
C
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
350  
375  
6.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
CEO  
V
CB  
V
EB  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
I
C
0.5  
I
B
0.25  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
30  
0.24  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
4.167  
C/W  
JC  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5.0  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve  
REV 1  
3–626  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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