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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJ15021G
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MJ15021G

更新时间： 2024-11-04 04:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 153K
描述
Complementary Silicon Power Transistors

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MJ15021G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：LEAD FREE, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

MJ15021G 数据手册

 浏览型号MJ15021G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJ15021G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJ15021G的Datasheet PDF文件第4页 
MJ15020 − NPN  
MJ15021 − PNP  
Preferred Devices  
Complementary Silicon  
Power Transistors  
These transistors are designed for use as high frequency drivers in  
Audio Amplifiers.  
http://onsemi.com  
Features  
4.0 AMPERES  
• High Gain Complementary Silicon Power Transistors  
• Safe Operating Area 100% Tested 50 V, 3.0 A, 1.0 Sec  
• Excellent Frequency Response −f = 20 MHz min  
COMPLEMENTARY SILICON-  
POWER TRANSISTORS  
200 − 250 VOLTS, 150 WATTS  
T
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
MJ15020  
Rating  
Symbol  
Unit  
MJ15021  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
250  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
CEO  
V
CBO  
250  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
Emitter−Base Voltage  
V
EBO  
7.0  
STYLE 1  
Collector Current − Continuous  
Base Current − Continuous  
Emitter Current − Continuous  
I
C
4.0  
I
B
2.0  
MARKING DIAGRAM  
I
E
6.0  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
150  
W
W/_C  
_C  
C
D
0.86  
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +200  
stg  
MJ1502xG  
AYWW  
MEX  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.17  
_C/W  
q
JC  
MJ1502x = Device Code  
x = 0 or 1  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
A
Y
WW  
MEX  
= Work Week  
= Country of Origin  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MJ15020  
MJ15020G  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
TO−204  
(Pb−Free)  
MJ15021  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
MJ15021G  
TO−204  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 2  
MJ15020/D  
1234

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