MJ15023

更新时间： 2024-02-24 17:31:42

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
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4页	147K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

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MJ15023 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

MJ15023 数据手册

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by MJ15023/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The MJ15023 and MJ15025 are PowerBase power transistors designed for high

power audio, disk head positioners and other linear applications.

*Motorola Preferred Device

16 AMPERE

SILICON

•

High Safe Operating Area (100% Tested) —

2 A @ 80 V

POWER TRANSISTORS

200 AND 250 VOLTS

250 WATTS

•

High DC Current Gain —

= 15 (Min) @ I = 8 Adc

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

MJ15023

200

MJ15025

250

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

350

400

Collector–Emitter Voltage

CEX

400

Collector Current — Continuous

Peak (1)

Base Current — Continuous

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

250

1.43

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle

0.70

C/W

θJC

10%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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