MJ15024

更新时间： 2024-11-03 22:46:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管
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4页	156K
描述
Silicon Power Transistors

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MJ15024 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	基于收集器的最大容量：	500 pF
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	250 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

MJ15024 数据手册

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by MJ15022/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The MJ15022 and MJ15024 are PowerBase power transistors designed for high

power audio, disk head positioners and other linear applications.

*Motorola Preferred Device

16 AMPERE

SILICON

•

High Safe Operating Area (100% Tested) —

2 A @ 80 V

POWER TRANSISTORS

200 AND 250 VOLTS

250 WATTS

•

High DC Current Gain —

= 15 (Min) @ I = 8 Adc

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

MJ15022

200

MJ15024

250

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

350

400

Collector–Emitter Voltage

CEX

400

Collector Current — Continuous

Peak (1)

Base Current — Continuous

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

250

1.43

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.70

C/W

θJC

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle

10%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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