5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 42.8 W | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC39V5964A | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFC39V5964A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFC39V5964A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
|
| MGFC39V6472A | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFC39V6472A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 ~ 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFC39V6472A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
|
| MGFC39V6472A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFC39V6472A-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFC39V7177-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFC39V7177A | MITSUBISHI |
获取价格 |
7.1 - 7.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
