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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 102K |  |
| 描述 | ||
| 6.4 - 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC39V6472A_04 | MITSUBISHI |
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6.4 ~ 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V6472A_11 | MITSUBISHI |
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C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC39V6472A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC39V6472A-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC39V7177-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC39V7177A | MITSUBISHI |
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7.1 - 7.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V7177A_04 | MITSUBISHI |
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7.1 ~ 7.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V7177A_11 | MITSUBISHI |
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C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC39V7177A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC39V7177A-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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