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MG75Q2YS40

更新时间： 2024-09-15 22:08:59

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
5页	259K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG75Q2YS40 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	500 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	560 W
最大功率耗散 (Abs)：	560 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	600 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CM75DU-24F	MITSUBISHI	功能相似	HIGH POWER SWITCHING USE
BSM75GB120DN2	INFINEON	功能相似	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated
MG75Q2YS42	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG75Q2YS42	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75Q2YS4W	TOSHIBA	获取价格	MG75Q2YS4W
MG75Q2YS50	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75Q2YS51	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75Q2YS52	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG78	SUMIDA	获取价格	IFT COILS
MG780	KYOCERA AVX	获取价格	Monochrome Graphic & Character LCDs
MG785	ETC	获取价格	Precision High Voltage Resistors
MG7901WZ	ROHM	获取价格	Application: Partial Switching PFC, Discharge Circuit, Brake for Inverter For sale of Bare
MG7902WZ	ROHM	获取价格	Application: Partial Switching PFC, Discharge Circuit, Brake for Inverter For sale of Bare