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MG800J2YS50A

更新时间： 2024-11-05 22:08:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

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MG800J2YS50A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	800 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	元件数量：	2
端子数量：	11	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2900 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1050 ns	标称接通时间 (ton)：	550 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

MG800J2YS50A 数据手册

MG800J2YS50A

TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

MG800J2YS50A

High power switching applications

Motor control applications

Unit: mm

The electrodes are isolated from case.

Enhancement-mode

Thermal output terminal (TH)

Equivalent Circuit

TH1

TH2

Ｃ1

Fo1

E1/C2

JEDEC

―

JEITA

Fo2

TOSHIBA

Weight: 680 g (typ.)

2-126A1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

800

CES

GES

Collector current

Forward current

Collector power dissipation

2900

(Tc = 25°C)

Junction temperature

150

-40~125

2500

°C

Storage temperature range

stg

Isolation voltage

Isol

(AC 1 min)

Terminal: M8

Mounting: M5

N･m

Screw torque

2002-10-31

12 3 4 5 6 7

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