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MDP12N50BTH

更新时间： 2024-09-17 01:18:59
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美格纳 - MGCHIP /
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8页 1155K
描述
N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65(ohm)

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MDP12N50BTH 数据手册

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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
MDP12N50Bꢀ/ꢀMDF12N50B  
ꢀ NꢁChannelꢀMOSFETꢀ500V,ꢀ11.5A,ꢀ0.65ꢂ  
GeneralꢀDescriptionꢀ  
Featuresꢀ  
ꢀ
ꢀ
TheꢀMDP/F12N50BꢀusesꢀadvancedꢀMagnachip’sꢀ  
MOSFETꢀTechnology,ꢀwhichꢀprovidesꢀlowꢀonꢁstateꢀ  
resistance,ꢀhighꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀ  
excellentꢀquality.ꢀ  
ꢀꢀVDSꢀ=ꢀ500Vꢀ  
ꢀꢀIDꢀ=ꢀ11.5Aꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ @VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
ꢀꢀRDS(ON)ꢀ≤ꢀ0.65ꢀꢀ ꢀ ꢀ @VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
ꢀ
MDP/F12N50BꢀisꢀsuitableꢀdeviceꢀforꢀSMPS,ꢀhighꢀ  
Speedꢀswitchingꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.ꢀ  
Applicationsꢀ  
ꢀ
ꢀꢀPowerꢀSupplyꢀ  
ꢀꢀPFCꢀ  
ꢀꢀBallastꢀ  
ꢀ
ꢀ
AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25oC)ꢀ ꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ  
Symbolꢀ  
MDP12N50Bꢀ MDF12N50Bꢀ  
Unitꢀ  
Vꢀ  
VDSS  
ꢀ
ꢀ
500ꢀ  
±30ꢀ  
ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ  
VGSS  
Vꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
11.5ꢀ  
7.0ꢀ  
11.5*ꢀ  
7.0*ꢀ  
46*ꢀ  
Aꢀ  
ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ  
IDꢀ  
ꢀ TC=100oCꢀ  
Aꢀ  
ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrent(1)  
ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ  
ꢀ
IDM  
ꢀ
46ꢀ  
Aꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
165ꢀ  
1.33ꢀ  
42ꢀ  
Wꢀ  
PDꢀ  
Derateꢀaboveꢀ25ꢀoCꢀ  
0.32ꢀ  
W/ꢀoCꢀ  
mJꢀ  
V/nsꢀ  
mJꢀ  
RepetitiveꢀAvalancheꢀEnergy(1)ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ PeakꢀDiodeꢀRecoveryꢀdv/dt(3)  
ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergy(4)  
EAR  
dv/dtꢀ  
EAS  
ꢀ
16.5ꢀ  
4.5ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
460ꢀ  
ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ  
TJ,ꢀTstg  
ꢀ
ꢀ
ꢁ55~150ꢀ  
oCꢀ  
ꢀ
ꢀ
※ꢀ Idꢀlimitedꢀbyꢀmaximumꢀjunctionꢀtemperatureꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ThermalꢀCharacteristicsꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
Symbolꢀ  
RθJA  
RθJC  
MDP12N50Bꢀ MDF12N50Bꢀ  
Unitꢀ  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbient(1)  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCase(1)  
ꢀ
ꢀ
62.5ꢀ  
0.75ꢀ  
62.5ꢀ  
3.0ꢀ  
oC/Wꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1
Mayꢀ2012.ꢀVersionꢀ1.1ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.  
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与MDP12N50BTH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDP12N50F MGCHIP

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MDP14 VISHAY

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