生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.11 | 构造: | COMPONENT |
最大变频损耗: | 9.5 dB | 最大输入功率 (CW): | 27 dBm |
最大工作频率: | 3500 MHz | 最小工作频率: | 1 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
射频/微波设备类型: | TRIPLE BALANCED | 最大电压驻波比: | 2 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MD-189-PIN | MACOM |
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(non-RoHS) High Level Termination Insensitive | |
MD18R1624AF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624AF0-CM9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624AF0-CN9 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
MD18R1624DF0-CK8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CN1 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CN9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1628AF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1628AF0-CM9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX36, CMOS, RIMM-232 |